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【制造/封测】第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆

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  近日,浙江大学杭州国际科创中心(以下简称科创中心)先进半导体研究院在首席科学家杨德仁院士的带领下,利用全新的熔体法技术路线研制氧化镓体块单晶以及晶圆,目前已成功制备直径2英寸(50.8mm)的氧化镓晶圆。

  浙大杭州科创中心消息显示,使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势,一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性,使得制作的功率器件具有较好的性能;二是由于采用了熔体法新路线,减少了贵金属铱的使用,使得氧化镓生长过程不仅更简单可控,成本也更低,具有更大的产业化前景。

  此外,该团队计划在2年内制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆,进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。

  封面图片来源:拍信网